Target paduan-nikel silikon (NiSi) terdiri dari kombinasi nikel (Ni) dan silikon (Si) yang biasanya hadir dalam kemurnian 99,9 % (3N) atau lebih tinggi. Sebagai hasil dari penggabungan konduktivitas listrik dan termal nikel serta sifat semikonduktor silikon, material ini diklasifikasikan sebagai "paduan suhu-tinggi" dan sebagai sumber sputtering untuk film fungsional. Target sputtering paduan Ni-Silikon (NiSi) mempunyai fungsi penting dalam pembuatan lapisan silisida dengan resistivitas rendah-di sektor semikonduktor. Neurotech, sebagai film NiSi, menunjukkan konduktivitas yang luar biasa serta stabilitas termal yang baik untuk digunakan dalam interkoneksi dan kontak ohmik dalam sirkuit terpadu. Untuk meningkatkan performa dan keandalan perangkat perak, paduan tersebut, bersama dengan silikon, membentuk silisida nikel, yang merupakan komponen penting dalam teknologi CMOS canggih untuk interkoneksi listrik berperforma tinggi, cepat, dan efisien.
Bagaimana Bahan Target-Paduan Silikon Nikel Disiapkan
1. Mempersiapkan Bahan Baku. Untuk mencapai hasil terbaik, kami hanya menggunakan nikel murni dan silikon murni dan mengukur jumlah stoikiometri yang tepat sesuai dengan fase paduan target (misalnya, Ni/Si 90/10 pada%, 80/20 pada%).
2. Peleburan Vakum. Bahan mentah silikon dan nikel dituangkan ke dalam wadah (seringkali wadah tembaga-yang didinginkan dengan air). Pemanasan induksi melelehkannya sepenuhnya dengan zirkonium dan membentuknya menjadi paduan cair. Hal ini terjadi di lingkungan vakum-bersuhu tinggi,-rendah dengan pengotor gas seperti H, O, dan N. Selama tahap peleburan, kami menggunakan pengadukan elektromagnetik untuk lebih menyempurnakan zirkonium guna menghasilkan paduan cair. Kombinasi paduan cair dituangkan ke dalam cetakan tembaga, didinginkan, dan dipadatkan menjadi ingot paduan nikel-silikon.
3. Perlakuan Panas Homogenisasi. Ingot ditempatkan dalam perlakuan panas homogen dalam ruang hampa atau atmosfer pelindung (misalnya gas Ar) di sekitarnya. Ia disimpan pada suhu di bawah suhu solidus selama mungkin (misalnya 1000402 selama 10 jam).
4. Pemesinan Panas (Penempaan Panas/Penggulungan Panas): Ingot yang telah dihomogenisasi dipanaskan hingga di atas suhu rekristalisasi (mis., 800-1000 derajat) dan kemudian ditempa panas atau digulung panas.
5. Pemesinan: Billet yang diproses-panas dikerjakan sesuai dimensi target dan bentuk akhir material target dengan presisi tinggi menggunakan mesin berputar dan penggilingan serta metode penggilingan.
Penerapan Target Sputtering Paduan Nikel-Silikon
Interkoneksi Semikonduktor/Lapisan Kontak: Film tipis NiSi berfungsi sebagai logam kontak, mengurangi resistensi kontak.
Resistor Film Tipis dan Pengukur Regangan: Karakteristik koefisien resistansi suhu rendah (TCR) membuatnya cocok untuk IC hibrid dan sensor tekanan MEMS.
Lapisan Emisi Elektron Permukaan: Digunakan sebagai bahan pemancar dalam mikroelektronika vakum dan perangkat emisi lapangan;
Pelapis-E dan-Hemat Energi: Jika digabungkan dengan kromium dan silikon, lapisan ini dapat meningkatkan ketahanan oksidasi dan ketahanan korosi pada kaca film.
Fotovoltaik dan Layar: Digunakan untuk kombinasi sputtering film konduktif transparan, elektroda, atau lapisan penghalang.
